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主要功能：

本设备主要用于尺寸30～100mm的方形和圆形高功率激光元件及其他样品的离子東表面处理研究，配置有中能射频离子源1套、低能射频离子源1套及中和器电子源1套等。本设备具有良好的真空度及洁净度，自动化程度高、操作方便，能实现材料表面抛光、刻蚀及注入等的生产及研究工作。

应用领域：

·半导体器件

·精密光学器件

·薄膜电路加工

·真空室:Ψ400mmx400mm

·高能射频离子源及电源:无灯丝、高密度的RF离子源，平行离子束，离子能量10~50keV，均匀束斑尺寸Ψ100mm，最大束流强度8mA，射频功率不小于500W，频率13.56MHz。

·低能射频离子源及电源:无灯丝、高密度的RF离子源，平行离子束，离子能量100~1000eV束流東斑尺寸Ψ100mm，束流不均匀性小于±8%，最大东流强度150mA，射频功率不小于500W，频率13.56MHz.

·中和电子源及电源:采用射频(RF)中和电子源，通过射频放电产生电子束，与射频离子源配套使用，中和离子束，最大电子流500mA;射频电源采用国产品牌品，功率100W，频率13.56MHz.

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